由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，预计明年HBM供应缺口约11%，标准型DRAM供应缺口则高达23%，为近年罕见，价格将一路上涨。
DRAM市场迎来供需失衡“超级周期”
受近年来DRAM制造商新增产能有限以及HBM大量占用产能的双重影响，DRAM市场正面临前所未有的供需失衡局面，被形容为“超级周期”。据预测，明年HBM的供应缺口将达到约11%，而标准型DRAM的供应缺口更是将高达23%，这一状况在近年来相当罕见，预计将导致价格持续攀升。
摩根士丹利还上调了今年第三季度DRAM和NAND芯片的价格涨幅预测，从原先的8%和10%分别提升至13%和20%，涨幅调整的幅度超过了六成。在厂商方面，威刚和十铨均对DDR5和DDR4的价格上涨持乐观态度，预计下半年DDR5价格涨幅有望达到双位数，DDR4价格也将迎来至少30%的涨幅。
同时，市场研究机构TrendForce指出，尽管当前消费需求依然低迷，但预计第二季度主要供应商的出货量将出现季节性增长。受地震等不确定因素影响，部分PC OEM厂商已开始议价，预计第二季度DRAM合约价格的最终涨幅将在13%至18%之间。
另一方面，DDR3内存的产能不足问题日益凸显。随着多家大型存储制造商退出DDR3生产，如三星、SK海力士和美光等，DDR3的供应量大幅减少。然而，DDR3在WiFi 6和下一代WiFi 7等设备中的应用仍然广泛，加之AI和边缘计算等终端设备对DDR3的需求持续增长，预计将进一步推动DDR3价格的上涨。
明年此产品供应缺口高达23%
利基存储芯片主要包含4Gb DDR4及以下的DRAM，2D NAND及NOR Flash等品类，是国内存储公司主要参与的市场。随着供需格局扭转推动产品价格持续回升，利基存储板块有望正式迎来上行周期。
公司方面，兆易创新已推出DDR4、DDR3等多款DRAM产品，公司预计2024年采购DRAM代工金额约8.5亿人民币，较2023年有大幅增长。深科技是国内领先的独立DRAM内存芯片封装测试企业，公司在8层芯片堆叠、16层超薄芯片堆叠等关键技术达到国内领先，世界先进，是国内唯一具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。
业界分析认为，随着DRAM厂商减产效应的延续，标准型DRAM价格自2023年下半年以来一直呈上涨趋势，且未来涨势仍可期待。与此同时，DDR3等利基型内存的价格上涨可能会比标准型DRAM晚一至两个季度。
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