从半导体功率器件的发展历史看，大致可以将其分为平面型（planar）和沟槽型（trench）两种结构。
图1所示为平面型MOSFET的典型结构，栅极处于晶圆表面。该结构是在20世纪70年代末被提出，并一直使用到现在。工艺上，先进行P-body的注入和退火,然后进行N+的注入和退火，通过控制横向扩散的长度来形成沟道。该结构因为漏极在下面，并且采用双扩散形式形成沟道，所以也叫VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）。当栅源电压Vgs突破阈值电压后，MOSFET形成沟道从而电子可以按照图中虚线箭头的路线行进从而形成电流。目前的主流产品是平面型结构。
该工艺好比我们小时候的土屋，几乎不需要挖地基纯平面架构。
图1-平面型MOSFET的典型结构
在20世纪80年代末期，随着沟槽刻蚀技术的发展，沟槽型MOSFET被提出来，该结构很大程度上降低了导通电阻。图2所示为沟槽型MOSFET，将栅极埋入晶圆内。栅极通过沟槽刻蚀，沉积多晶硅来实现。沟道由横向变成了竖向。由于栅极是插入到硅片里面，不会存在P-N-P的JFET结构，并且在栅极下面与N型漂移层接触的地方所产生的积累层电阻非常小。
该工艺就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地皮少，相比平面工艺，成本略低， 同电压平台，内阻略小，电流大，输出能力强，反之抗冲击能力也更弱，速度与力量的结合。
图2-沟槽型MOSFET的典型结构
SiC MOS是电动汽车制造商未来必须考虑的核心零组件，目前也是分为两种结构，即Planar和Trench，主要供应商和特点见解对比如表1所示：
表1-Planar和Trench特点见解对比
图3和图4分别是Planar和Trench推荐的驱动电压，稍微有不同，在兼容设计时需要重点关注。
图3-Planar推荐的驱动电压
图4-Trench推荐的驱动电压
