没有EUV光刻机，华为的麒麟芯片还能有多大的前途呢？
近日的一则消息给了这个问题一个确切的回答，麒麟芯片的前途还是会很光明的。
先来看消息。香港媒体《南华早报》报道，华为现正在转向一种名为自对准四重图形化（SAQP）技术的工艺，这可能帮助它进一步推进先进芯片制造技术。消息称，这种专利技术可以在不用到更高级的EUV光刻机的情况下，生产出先进制程芯片。
那么，真能如此吗？
我们知道，光刻机对于先进制程的芯片来说其重要地位不言而喻。去年年末，英特尔获得了ASML全球首台High-NA EUV光刻机，就宣布要在3纳米、2纳米、1纳米的研发上率先使用High-NA EUV光刻机。可以说，凭借着这台全球最先进的光刻机，英特尔有了超越台积电的气势。
反观台积电，却没有对这个目前全球最先进的光刻机表示出如英特尔的热情。据DigiTimes报道，台积电要等到1纳米制程节点时才会使用High-NA EUV光刻机。而根据台积电之前公布的路线图，1.4纳米级A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间，1纳米级A10工艺的开发预计会在2030年前完成。
看来，对于目前的3纳米，甚至2纳米的制程工艺来说，台积电还是要在EUV光刻机上完成。怎么实现呢？大概的技术和现在华为突破的方向有着异曲同工之处，都想在多重曝光技术方面取得突破。
此前，ASML财务官Roger Dassen曾暗示双重或四重曝光技术难度带来的复杂性。Roger Dassen表示，High-NA EUV光刻机可以避免在制造上双重或四重曝光带来的复杂性。
那么，面对有着如此难度的技术，华为能够利用现有的DUV光刻机取得5纳米甚至更高的制程工艺上的突破吗？
华为给出的回答是否定的。此前，华为云CEO张平安表示，“我们肯定无法达到3纳米或5纳米，如果能解决7纳米就已经非常好了。”
但是，有业内工程师表示，虽然这个技术复杂且容易出错，但可以支持5纳米甚至3纳米设计。
可以说，有了自对准四重图形化（SAQP）技术，华为麒麟芯片具备了突破封锁的可能性，并且已经取得了不小的成绩，Mate 60 Pro搭载的麒麟9000S系列7纳米级处理器，已经证明了这点。由此不难看出，虽然张平安否认华为能够达到3纳米或5纳米水平，但至少在理论上，华为还是有可能突破5纳米，甚至3纳米工艺制程的可能性。
现在，就看华为在更高的制程工艺上如何突破了。
对此，您怎么看？利用现有的DUV光刻机设备，华为有无可能取得5纳米，甚至3纳米的突破性技术呢？
