可以预见的是，在谈到其掌握先进光刻技术的计划时，台积电传统上一直试图将其至少 10% 的资本支出用于开发专用芯片的生产，其特点是低功耗和适度成本的结合。到2028年，该公司预计将将此类产品的产量提高50%。
通常，正如AnandTech在研究了台积电欧洲技术研讨会的材料后所解释的那样，对于此类产品的生产，该公司使用了成熟的技术流程，这些工艺在以前生产先进产品的企业中掌握，但随着先进技术转移到新地点，旧工厂专注于生产专用芯片。
正如台积电高级副总裁张凯文所解释的那样，在未来五年内，该公司将把专用芯片的产量提高一倍半。引人注目的是，很长一段时间以来，将首次为此目的建立企业，这些企业最初专注于生产此类产品。但是，其中将有一些将使用相当现代的N4e工艺，该工艺最初是为此应用开发的，同时考虑到所生产芯片的低功耗。
现在在类似的台积电工艺中，最先进的是N6e，它允许芯片在0.4至0.9 V的电压范围内工作。 在掌握了N4e工艺后，该公司预计将将电压降低到0.4V以下。 没有关于实施这一过程的时间的明确信息，但必须理解，它将在2028年之前掌握。最有可能的是，细节将在明年公布。正如台积电代表一再指出的那样，他们并不十分担心竞争对手使用成熟的技术流程积极扩大芯片生产。台积电将其大部分专用芯片供应给与其签订长期合同的客户，因此客户流向竞争对手的可能性不大。
