创立一家企业——对多数创始人，都是他们人生的高光时刻；但对中天弘宇集成电路责任有限公司董事长张佳，却是她人生的危机时刻。
“2015年，我作为投资人，投资了存储器领域。但实际研发中，团队才发现：最初设计的技术路线完全没有可行性；唯一的出路，是全盘推倒重来。2018年，我迫不得已亲自接手项目，重新注册公司。”她说。
存储器是手机、电脑等电子设备实现存储功能的主要部件。技术壁垒高、研发周期长、国际竞争激烈，使得这一领域的创新创业难度极大。
主流工艺存在瓶颈
主流工艺技术存在瓶颈，是曾经作为投资人的张佳看中这一细分领域的重要原因。用她的话说，“在NORFlash领域，已经20年来没有重大技术突破了。”
据介绍，当前的存储器主要有内存和闪存两种：内存主要使用DRAM，闪存主要使用NANDFlash和NORFlash。后两者中，NANDFlash容量大、成本低、不能直接运行代码，常用作数据存储；NORFlash容量小、成本高、可执行代码，常用作代码存储。
张佳说，近年来，随着消费电子、物联网、智能手机等需求推动，NORFlash由于其非易失性、随机读取速度快、可靠性高、可执行代码等优势，市场规模逐年增长。特别是以智能座舱控制器、5G基站、卫星通讯、航空航天、可穿戴设备等为应用场景的大容量产品，市场规模快速成长。
然而，目前NORFlash主流工艺路线存在技术瓶颈，受编程原理和单元结构限制，微缩难以推进，长期停留在45纳米以及更落后的制程。此外，由于其一段时间以来应用市场远小于NANDFlash和DRAM，境外公司基本停止了对其主流工艺的研发。
底层技术另辟蹊径
“作为投资人，我们前期做了充分调研，还请了一些国外专家，设计了一条看似完美的‘天花板’路线。”张佳说，“实际研发中，浪费了两年多时间，我们才发现最初的技术路线完全没法落地，走了太多弯路。”
困境之中，她亲自创业。整个团队重新思考、重新探索，还聘请多位专家、院士指导，终于找到一条新的出路。
据介绍，相较于传统的NORFlash采用热电子注入的编程方式，采用新技术后，产品不仅生产功耗更低，而且存储容量更大。
在新型存储器的研发过程中，张佳和中天弘宇已经坐了8年冷板凳。“8年来，没有融资，没有宣传，默默搞研发，直到去年产品问世。研发过程中，有太多未知数存在，我们真正体会到了科研的艰辛。”她说。
“最让我记忆犹新的是2020年1月，在中国电子学会主办的一场专家鉴定会上，我们的技术被认定为‘在非易失存储领域属国际首创技术’。”她说。此后，团队愈发坚定信心，把新技术从概念落实到产品，进入了相对健康的良性循环。
部分型号已经量产
2021年8月，中天弘宇的初代存储器发布会上，中国工程院院士倪光南在视频致辞中评价：中天弘宇自主研发的核心技术在非易失存储领域属国际首创技术。勇于探索、积极进取，发展核心技术、底层技术，并拥有完整的自主知识产权，难能可贵。
张佳告诉记者，企业初代产品存储容量在4Mb-512Mb，目标现有小容量NORFlash应用市场，适用于智能家居、智控平台等场景。目前，部分型号已经量产，并取得收入。企业二代产品采用全新编程原理、工艺技术，容量为2Gb-8Gb，目前已完成多轮数据验证，预计2Gb产品将于明后年开始从研发转入小批量量产。
张佳比较了市场现有产品，她认为，中天弘宇的产品在4Mb-1Gb的存储容量区间具有一定的性能优势；在1Gb-8Gb的存储容量区间，可从底层技术支持、拓展AIOT、信创等新型应用创新，提高方案可靠性和国产自主性。
如今，发明成果已在中国、美国、日本、韩国和中国台湾地区申请了成体系的50多项原创性发明专利。
