由于光刻机供应的问题，中国芯片行业正在想方设法解决问题，除了继续基于现有的硅基芯片技术发展之外，研发先进的芯片材料则是另一条提升先进芯片性能的途径，在这方面中国已走在世界前列。
第三代芯片材料普遍被认为芯片技术变革的关键，第三代芯片材料可以大幅提升芯片性能并降低功耗，这将解决当下硅基芯片的瓶颈，为此中国和美国都在积极发展先进芯片材料。
第三代芯片材料之中，普遍认为碳化硅、氮化镓有很大的发展前途，这类芯片材料拥有更低的导通电阻、能量转换效率更高等优点，这些恰恰是当下硅基芯片所面临的重大问题，可以有效提升芯片性能并降低能源损耗。
对于手机芯片来说，功耗已越来越成为提升性能的重大障碍，当前手机芯片为了控制功耗往往只能通过降频来防止过热；大型数据中心的能源中有约七成消耗在芯片的发热以及散热的空调系统上，这些都说明现有硅基芯片在功耗方面的问题。
随着硅基芯片逐渐接近1纳米的极限，也促使芯片行业尽快找到新的芯片材料以替代现有的硅基材料，而第三代芯片材料虽然已经能研发成功，只是成本实在太高，导致第三代芯片材料在应用方面发展较为缓慢，而中国在推进芯片材料方面已取得重大进展。
第三代芯片材料商业化存在两大技术难点，一个是制作更大尺寸的晶圆难度较大，主要是这些材料太过脆弱了，中美都在力推6英寸以上晶圆的制成办法，中国恰恰在这方面已取得成功，为第三代芯片材料商业化做好了准备。
另一个则是成本问题，这方面更是中国制造的拿手好戏，中国企业已将碳化硅晶圆价格降低七成，从2年前的4000美元每片降低到1200美元，成本的大幅下降，将加速了第三代芯片材料的商用。
在实际的商业化中，其实中国数年前就已开始推进这些材料的应用，诸如电动汽车、太阳能等方面，中国已做到了全球第一，第三代芯片材料的广泛应用就为这些产业的成功提供了有力支持，随着第三代材料的成本下降，中国这些新兴产业可望进一步巩固全球领先优势。
由于海外限制供应先进光刻机，中国芯片行业当前能实现的最先进工艺为7纳米，这与台积电等的3纳米工艺相比差了两代，然而如果采用第三代芯片材料，工艺差距将瞬间被抹除，芯片价格还可以因此大幅下降，芯片白菜价将不再是想象。
中国在芯片技术方面探索多种路径，在于中国拥有强大的基础研发实力，可以迅速研发先进的芯片材料；中国拥有庞大的技术人才，这些人才为中国研发多种技术，再加上中国独特的成本优势，可以预期中国必将打破美国对中国芯片技术的限制。
