众所周知,半导体制程很大程度上影响芯片的功耗、性能和能效比,台积电是当前世界上芯片代工技术最先进的半导体制造厂商,其主要代工厂在台湾,最先进的3nm和2nm制程都是先在台湾研发和量产,另外台积电在台湾、美国、日本、中国大陆也有制造工厂,其中在日本和美国的是7nm以下的先进制程,在中国大陆的南京工厂为28nm制程;而华为则是国内最先进的芯片制造技术的代表。
当前台积电已经量产3nm,华为则是7nm,有两代的制程差距。
未来半导体制造工艺演进预估
按照台积电发布的工艺演进趋势,台积电将在2025~2026年量产2nm制程,2028年有望量产1.4nm制程,2030年达到1nm制程。
华为:
kirin9000s已经采用7nm,基于国内已经买到的duv光刻机型号,最高可以做到5nm,预计将用于今年秋季发布的mate70搭载的kirin9100芯片上。
而国内未来的工艺演进则存在较大的不确定性,关键瓶颈是国产光刻机的进度,按照业内人士预估2028年国内预计可以突破EUV光刻机,那么华为最快也要在2028年才能有3nm及更先进的工艺。
因此,3年内,今年秋天的5nm工艺将是华为距离台积电工艺最接近的一次,只有一代的差距,2025年拉大到2代,2027年可能差距3代;3年后,如果国产euv光刻机可以按时突破,则有望再次开启追赶的脚步,相信2028年之后国产半导体可以真正突破所有的瓶颈,在2030年左右和台积电同步达到1nm工艺水平。
国产加油!
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