根据TrendForce集邦咨询的最新报告,由于人工智能(AI)浪潮对存储产品市场的影响,本季度DRAM内存量合约价格涨幅从原先预计的3-8%上升到13-18%,NAND闪存量合约价格涨幅从原先预计的13-18%上升到15-20%。虽然此前预期需求方对于大幅度涨价的接受意愿不强,但在台湾地区地震后首轮合约价议价期间,价格上涨超过了预期。
究其原因,在DRAM内存量市场方面,存储原厂担心HBM内存产能放量将进一步排挤传统内存的供应。美光表示,HBM3E内存晶圆消耗是传统DDR5内存的三倍。预计到2024年底,三星电子1αnm制程整体DRAM产能中约六成将由HBM3e内存占用。
在NAND闪存量市场方面,节能成为AI推理服务器的优先考虑因素。北美云服务业者扩大了对QLC企业级固态硬盘(SSD)的应用。与此同时,闪存产品的库存加速下降,部分供应商出现了惜售心态。
然而报告还提到,在消费级产品需求复苏情况尚不明朗的情况下,存储供应商对非HMB内存产能的资本支出仍然保持谨慎态度,特别是DRAM闪存目前仍处于盈亏平衡点。
转载此文是出于传递更多信息目的。若来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与本站联系,我们将及时更正、删除、谢谢。
https://www.414w.com/read/451321.html