三星电子和SK海力士正在激烈竞争，以引领人工智能（AI）时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产来获得优势。
据业内人士透露，三星电子和SK海力士近日宣布了下一代半导体量产计划，重点在于谁能最先将这些新产品推向市场，吸引更多的关注。
今年1月份，SK海力士开始量产第五代8层HBM3E，并取得领先优势。三星计划在今年上半年开始量产自己的8层HBM3E。
但三星电子率先开发12层HBM3E，并于今年2月份开发成功。三星的目标是在今年晚些时候开始大规模生产，并向英伟达供货。与此同时，SK海力士今年上半年将向英伟达交付12层HBM3E样品。
两家公司还竞相开发第六代HBM4，三星电子制定了明年开发HBM4并于2026年开始量产的路线图，三星HBM4计划提供三种选择：8层、12层和16层。
SK海力士则计划在2026年实现HBM4量产，为了实现这一目标，该公司与台积电合作，SK海力士计划使用台积电的先进逻辑工艺技术生产HBM4。
为了对抗SK海力士-台积电联盟，三星电子作为唯一一家拥有完整生产、代工和封装工艺的半导体公司，强调其为客户提供定制化HBM解决方案的能力。
在DRAM领域，竞争仍在继续。三星电子最近发布了用于设备内置人工智能的LPDDR5X内存，其速度达到创纪录的10.7Gbps，超过了SK海力士用于移动设备的LPDDR5T的9.6Gbps。
此外，三星电子计划于今年年底开始量产第六代10纳米DRAM，并于2026年开始量产第七代10纳米DRAM。SK海力士则计划于三年后推出第六代10纳米DRAM。
据机构数据显示，去年第四季度，三星电子占据45.5%的DRAM市场份额，而SK海力士则占据31.8%。但在HBM市场，SK海力士拥有53%的市场份额，三星则为35%。下一代半导体的发展可能会显著改变市场格局，致使两家公司保持高度警惕。
