荷兰公司ASML宣布使用其第一台具有超硬紫外线辐射的光刻扫描仪和具有0.55（High-NA EUV）的高数值孔径投影光学器件创建了第一批半导体产品样品。此次活动不仅是ASML的重要里程碑，也是整个High-NA EUV技术的重要里程碑。
“我们在费尔德霍芬的High-NA EUV系统已经打印了世界上第一个10纳米线。可视化是在光学器件、传感器和载物台经过粗略校准过程后完成的。接下来，计划使系统充分发挥性能，并在现场获得相同的结果，“ASML在一份声明中说。
目前，ASML只创建了三个高数值孔径EUV光刻系统。一个在ASML位于荷兰费尔德霍芬的总部组装，另一个在俄勒冈州希尔斯伯勒附近的英特尔美国D1X工厂组装。第三台将在比利时领先的半导体研究机构Imec组装。
ASML似乎是第一家宣布使用High-NA EUV光刻系统成功创建样品的公司，这是整个半导体行业的重要里程碑。ASML打算仅使用其Twinscan EXE：5000扫描仪来研究和改进该技术。
反过来，英特尔计划使用 Twinscan EXE：5000 来学习如何将具有高数值孔径的 EUV 光刻应用于芯片的大规模生产。该扫描仪将用于采用其专有的Intel 18A（1.8纳米级）工艺的研发项目。但下一代扫描仪 Twinscan EXE：5200 计划用于根据 14A 工艺（1.4 nm 级）生产芯片。
ASML Twinscan EXE：5200扫描仪配备0.55孔径光学元件，设计用于沉积分辨率为8 nm的芯片元件，与当前分辨率为13 nm的EUV系统相比，这是一个重大改进。与具有低数值孔径（Low-NA EUV）的仪器相比，新技术将晶体管的尺寸减小了1.7倍，每次曝光的密度提高了2.9倍。
低数值孔径扫描仪也可以达到这种分辨率水平，但需要更昂贵的双模式方法。向高数值孔径 EUV 光刻系统的过渡对于生产 3 纳米以下芯片是必要的，这些芯片计划于 2025-2026 年开始大规模生产。使用高数值孔径 EUV 光刻技术无需使用两个模板进行两次通过，从而优化了生产过程，从而有可能提高生产率并降低生产成本。另一方面，高数值孔径工具的成本高达4亿美元，并且有其自身的缺点，使其难以转向更先进的技术流程。
