据韩媒报道，三星公司正在积极筹备其最新的第9代V-NAND闪存的量产工作。负责此事的高管Jung-BaeLee曾表示，该公司下一代NAND闪存将在今年年初开始批量生产，并且拥有业界领先的堆叠层数。
2022年11月，三星公司就量产了236层的第8代V-NAND闪存，而这一次，他们计划达到更高的水平。Hankyung援引消息人士的话称，在第9代V-NAND闪存上，三星将采用双闪存堆栈结构，以实现更简单的工艺流程和更低的成本。此外，在预计于明年推出的第10代V-NAND闪存产品上，三星也将尝试使用三堆栈结构。
这种新的结构将进一步提升3D闪存最大可能的堆叠数量。然而，这也意味着在对齐方面可能会引入更多复杂性。例如SK海力士公司计划明年推出的321层NAND闪存产品就将采用类似技术。
有预测显示，三星公司即将推出的第10代V-NAND闪存有望达到430层的堆叠量，进一步巩固了他们在这一领域的竞争优势。
