近几年，我国在半导体产业上发展迅猛，各项核心技术实现突破。以中芯国际为例，在CEO梁孟松的带领下，中芯国际已经实现28nm芯片的量产，并实现了7nm芯片技术的突破。
而在芯片封装技术，长电科技也实现了4nm芯片封装。与此同时，概伦电子也在芯片设计上实现3nm工艺节点的突破……
不可否认，这几年我们在芯片技术的突破有目共睹，但我们能够生产的芯片仅有14nm水准，离7nm芯片还有不小的距离。
据悉，国内能自主生产的先进工艺是14nm水准，比如中芯国际此前生产麒麟710a芯片就是14nm芯片。
为什么会出现这种情况呢？归根结底，还是国缺少生产芯片的关键设备光刻机。截止目前为止，我国从ASML采购了大量DUV光刻机，但EUV光刻机，ASML并没有向我国提供。
而EUV光刻机是生产7nm芯片的关键设备，一旦我们拥有这种光刻机，那么我国实现7nm芯片生产的进程将会加快。
哈工大7nm光刻机技术实现突破
早在18年的时候，中芯国际就从ASML采购了一台EUV光刻机。由于老美从中作梗，这台EUV光刻机没有正式发货。
为了早日实现国产7nmEUV光刻机的自主化，国内半导体公司和相关团队在光刻机技术上深入研究，实现了光刻机技术的多项突破。
最引人瞩目的当属哈工大团队研发的‘高速超精密激光干涉仪’，这款激光干涉仪用于28nm—350nm工艺光刻机集成研制和性能测试，对28nm光刻机的研制提供了技术支撑，并对7nmEUV光刻机提供技术储备。
这个消息传来后，整个网络都沸腾了，很多人都高呼：我们实现了7nm光刻机技术都突破，国产7nmEUV光刻机将会研制成功。
1个多月过去了，我们并没有看到国产7nm光刻机的相关信息，似乎哈工大的7nm技术突破只是一个噱头，这种现象让人感到奇怪。
为什么会出现这种现象？
难道哈工大7nm光刻机技术只是一个噱头，准确的讲并不是。哈工大团队是这样形容高速超精密激光干涉仪：能为28nm—350nm光刻机提供技术支撑，为7nm光刻机提供技术储备。
什么叫技术支撑呢？那就是我国研制28nm光刻机的时候，高速超精密激光干涉仪能为这种光刻机提供集成和测试的技术支撑，仅此而已。但一款28nm光刻机的研制涉及的技术多达几千、甚至上万个，靠1、2项技术支撑并不能解决问题，因此高速超精密激光干涉仪的出现并不能表明我们有实力研发28nm光刻机。
实际情况是我国能够生产的光刻机水准是90nm，离28nm光刻机还有不小的差距。
什么叫技术储备呢？和技术支撑相比，技术储备就显得有些‘不给力’了。所谓技术储备是这种技术还不能马上看到效果，而是这种技术能为更高端技术做铺垫，在这个基础上实现技术突破。
所以哈工大团队研发的高速超精密激光干涉仪能为28nm光刻机提供技术支撑，却只能为7nm光刻机做技术储备，这就容易理解了。
7nmEUV光刻机有多难？
很多人认为靠我们自己就可以实现7nmEUV光刻机的研制成功，其实这是一种不切实际的想法。
客观的讲，这个世界没有单独一个国家可以实现7nmEUV光刻机的研制成功，我国做不到，老美也是如此。光刻机被誉为‘半导体工业皇冠的明珠’，这不是说着玩的。
据悉，荷兰ASML生产一台EUV光刻机，这需要全球6000多家科技公司提供10万个器件，这些公司包括蔡司、德州仪器、尼康等，并且这里面的任何一家公司提供了器件工艺都达到业内顶尖水准。
由此可见，想要研制一款7nmEUV光刻机的难度非常之大，这需求全球科技公司通力合作才能完成。
写在最后
近几年，我国的半导体公司受到老美等国家的打压，包括华为、中芯国际在内的半导体公司的业务都受到较大的影响。
面对这个局面，国内很多网友都希望国产光刻机能够早日实现自主生产，并希望我们可以研制成功7nmEUV光刻机。
这些网友的想法是好的，但所有的盼望都建立在实事求是的基础上，因此我们不能因为1、2项技术的突破就沾沾自喜，认为我们就可以研制成功7nmEUV光刻机。
国产光刻机之路任重道远，我们不能看不清现实，要脚踏实地的发展。
