我们都知道，在过去的数十年里，光刻一直是晶片生产的主流。通过光源，将芯片的线路图投射到硅晶片上，而这一过程的核心装置，便是光刻机。
而光刻技术则是芯片制造过程中的关键环节，它将直接影响到芯片的制程水准与表现水准。
以及光刻机，综合物理学，光学，精密仪器，聚合物物理和化学，数学，材料，自动控制，流体力学，高精密环境控制，软件等四十多个专业。
因此，目前全球有能力制造光刻机的厂商，就剩下了 ASML，尼康，佳能，上海微电子四家。ASML是一家垄断企业，市场份额达到90%。
光刻的发展，有三种途径，第一种是波长，随着波长的缩短，科技进步也越来越快，从最初的435纳米，到365纳米，再到248纳米，干法，浸水，193纳米，如今的 EUV,13.5纳米。
在确定了光源之后，需要考虑的是增加投射光刻物镜的 NA数值孔径，这是由于较大的 NA值可以使更多的光束穿过透镜，从而获得更高的能量，从而提高更高效的控制和更高的分辨能力。
第三个问题是减少光刻过程中的制程因子，这个因子是一个重要的制程参数，直接影响到光源及系统的品质。
当前最先进的极紫外光刻工艺，其光源波长13.5 nm, NA0.55 nm，工艺难度较大，即便研制成功，成本也较高。
与此同时， EUV光刻技术已经突破了0.25，很难超越，因此极紫外光刻技术的研究难度很大。
因此， ASML之前就说，由于光刻过程中的 NA值已经到达了一个临界值，所以很难再开发出更高品质的 EUV光刻。
所以，光刻的进一步发展仍依赖于光源的波长，但是我们知道，当波长发生变化时，光刻工艺就会发生变化。
从 G线到 I线，再到 KrF, ArF, EUV，这一阶段的升级，实质上是光源的升级，其次是各种光源的升级，驱动电路的改变，以及光刻过程中的各种因素的改变。
不过，在13.5 nm以后，波长会发生怎样的改变？科学家发现了一种新的方法，就是 BEUV。
本项目拟利用13.5 nm的光源，较 EUV所需的6.5 nm短，从而提高了焦深深度，提高了加工精度。
通过使用6. Xnm波长，还可以在新的修正之前，再次改善光刻过程因子 NA。
据专家预计，2035年后， BEUV光刻将取代 EUV光刻，使其在1 nm以下的制程中，仅有 BEUV光刻可满足这一需求。
以前我们在光刻工艺上已经落后了，等 BEUV技术到来，我们就不要着急，等别人跟上了我们的供应链，我们就可以跟得上国际水准，而不是像现在这样，把光刻机卡在喉咙里，只能看着。
