三星电子宣布成功开发全球首款24GbGDDR7显存，预计明年年初实现量产。这款显存采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在保持与前代产品相同封装尺寸的同时，单元密度提高了50%。采用的三电平脉冲幅度调制（PAM3）信号技术实现了领先的40Gbps速率，并且根据使用环境的不同，最高性能可达42.5Gbps。
三星电子还首次将以前在移动产品中使用的技术应用到了显存中，能效提高了30%以上。同时，通过“时钟控制和控制技术”和“双功率设计”，减少了不必要功耗，实现了产品功率最大化。此外，这款24GbGDDR7显存还采用了电源门控设计，以减少电流泄漏，并确保高速运行时的稳定性。
据三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheolBae表示：“我们将继续引领显存市场，推出符合AI市场日益增长需求的下一代产品。”三星透露，今年将与主要GPU客户开始对24GbGDDR7进行下一代AI计算系统的验证，并计划在明年初实现商业化。
