-100V大功率PMOS芯片--乐瓦微LWS1H25H5
PMOS（P-Channel MOSFET）采用空穴作为载流子，其迁移率小于NMOS中的电子，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。PMOS特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。
LWS1H25H5：VGS＝-10V条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低至22mΩ，TO-263，Id可达 -65A；
具体参数如下表：
乐瓦微-100V PMOS系列产品具有业内领先的RSP能力，可满足器件小型化的需求，进一步提升了产品的电流能力和功率密度，同时产品可靠性可达到车规级。广泛应用于电池保护、反极性保护、负载开关及工业控制等领域。
上海乐瓦微电子科技有限公司总部位于上海，在深圳和无锡设有分公司，是一家集MOS、LDO、DC-DC研发、设计、销售的先进半导体设计公司，也是上海市高新技术企业。
主要MOS产品门类：高压VDMOS（900~1500V系列）、中低压沟槽MOS（20V~250V NMOS;-20V~-40V PMOS）、中低压SGT-MOS(-150V~150V)以及LDO（高PSRR、低噪声、低Iq、高输入电压以及大输出电流五大系列）、DC-DC系列产品以及MCU系列产品。
乐瓦微依托国内外一线先进的晶圆生产平台，以及长电、杰群等优秀的封测平台，不断推陈出新，开发出一系列应用于工业控制、医疗、PC/服务器、消费电子、通讯电源、以及IOT等应用领域的高可靠性产品，同时坚定不移地持续提升技术创新，以卓越的性能和稳定的品质服务全球客户。
