半导体设备是半导体产业进步的基石，驱动技术革新和应用领域拓宽。
半导体设备行业遵循“设备迭代引领工艺革新，进而催生新产品世代”的发展规律，其中光刻、刻蚀、沉积等核心工艺设备是半导体行业的关键设备。
在半导体制造流程中，薄膜沉积设备占关键地位，其资本开支约占集成电路装备总投资的21%。薄膜沉积设备的关键作用是在基底上精准地生长、沉积或涂覆超薄膜层，对芯片的性能至关重要。
当前全球晶圆厂产能扩张、制程技术升级以及工艺优化的推动，薄膜沉积设备市场呈现出持续增长态势。随着芯片设计的日益复杂化，所需薄膜层数显著增加，同时对薄膜材料的多样性和性能指标提出了更高要求。
根据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，2023年晶圆制造设备的全球销售额约960亿美元，其中薄膜沉积设备市场占比约为22%，据此估算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约211亿美元。
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薄膜沉积过程涉及在硅片基底上覆盖一层需进一步加工的薄膜材料，包含诸如二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属物质以及铜等金属材料。
在超大规模集成电路制造领域，薄膜制备技术方法多样，主要包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）以及原子层沉积（ALD）等技术。
化学气相沉积（CVD）设备
化学气相沉积（CVD）技术涉及将硅片加热至预设温度，然后利用射频电磁波在硅片上方激发产生低温等离子体环境。
在此环境中引入特定的化学气体，在等离子体的作用下发生一系列化学反应，最终在硅片表面沉积形成固态薄膜。
在全球CVD市场中，应用材料公司（AMAT）占据了约30%的市场份额，与泛林半导体（Lam）和TEL三家企业合计掌控了全球70%的市场份额。
拓荆科技是国内半导体CVD设备制造业领跑者，公司产品线涵盖等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备以及次常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列。公司产品已在国内多家晶圆厂的14纳米及以上工艺集成电路生产线上得到应用，并且正积极推进10纳米及以下工艺产品的验证测试工作。
中微公司的MOCVD设备已在行业前沿客户的生产线中实现大规模量产。
原子层沉积(ALD）设备
原子层沉积（ALD）技术是将材料以单层原子膜的精度沉积于基底表面的工艺，其核心优势体现在能形成高度均匀的沉积层。
在原子层沉积设备市场中，全球两大领军企业东京电子（TEL）与ASM，分别占据了31%与29%的市场份额，剩余40%的市场份额则由其他多家企业共同占据。
国内拓荆科技、北方华创、中微公司以及微导纳米等企业正积极布局并推动原子层沉积设备的发展。
PVD（物理气相沉积）设备
在PVD（物理气相沉积）设备市场中，应用材料占据高达85%的市场份额，几乎完全主导了该市场，稳居行业领头羊地位。
北方华创是国内PVD工艺装备技术的引领者，公司除了在PVD领域深耕，还逐步推出了CVD设备。北方华创的硬掩膜PVD设备exiTin H430以及Al PAD设备eVictor A830 Al pad PVD系统，早在2015年便成功打入国际先进的集成电路生产线，引领国产PVD设备成功走向海外市场。
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