当前全球AI浪潮爆发，叠加汽车和消费电子高需求，引领存储容量的扩张，存储市场加速迎来爆发。
据2024年市场观察，存储芯片行业呈现出量价齐升态势，WSTS预估存储芯片年度市场规模将攀升至1632亿美元，较去年大幅增长77%。
为了打造出精确的AI模型，庞大的训练数据集需求强劲，这些数据在模型训练阶段需进行高效的存储与处理，由此AI服务器、AI手机、AI个人电脑以及自动驾驶汽车等领域对存储性能提出了更高要求。
美光科技数据显示，相较于传统服务器，AI服务器对DRAM及NAND存储的容量需求分别激增至8倍与3倍；同时AI个人电脑对DRAM容量的最低要求提升至16GB。
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存储芯片行业概览
半导体存储器通过半导体材料来实现信息的存储功能，其存储与读取的实质在于电荷的积累与释放过程。
根据数据保存是否需要持续的电力供应，半导体存储器分为易失性存储和非易失性存储。
存储芯片分类：
非易失性存储器能够在没有持续电源的情况下长期保留数据，其中NAND闪存和NOR闪存是主要的代表类型。
2023年全球DRAM市场占据了约55.9%的最大份额，而NAND Flash市场则紧随其后，占比约为44.0%，成为存储器芯片市场的第二大细分领域。
NAND闪存属于非易失性存储芯片，在计算机、服务器以及智能手机等领域广泛应用。
根据每个存储单元所能存储的比特数的不同，NAND闪存可以进一步细分为四种颗粒类型，即SLC、MLC、TLC和QLC。
存储芯片占比：
存储芯片竞争格局和龙头厂商
全球存储芯片市场呈现出高度集中的特点，主要海外生产商包括韩国的三星电子与SK海力士，美国的美光科技与西部数据，以及日本的铠侠公司。
在动态随机存取存储器DRAM领域，三星电子、SK海力士和美光科技占据全球市场的大部分份额。
国内方面主要企业有长江存储、长鑫存储和兆易创新等。长江存储在NAND Flash领域发展迅速，于2018年和2019年分别成功量产了32层和64层的3D NAND Flash。公司自研的Xtacking架构已经发展到4.0版本，具备232层的存储能力，为全球最优质的SSD存储提供支持；此外公司已经成功量产了高性能的3D NAND闪存芯片，达到全球领先水平。
长鑫存储成功推出了DDR4、LPDDR4及DDR4模组。此外，长鑫存储已量产18.5纳米工艺的DRAM芯片，这一制程工艺在全球DRAM市场中处于领先地位。
在NOR Flash市场，华邦以34.8%的市场份额位居首位，紧随其后的是旺宏，市场份额为32.7%，兆易创新以23.2%的市场份额位列第三。
此外，存储芯片产业链的上下游国内布局厂商还包括普冉股份、东芯股份、北京君正、恒烁股份、澜起科技、江波龙、聚辰股份等。
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