首先，单片机的IO口带有一定的负载能力，但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20毫安以内，因此一般不采用单片机直接驱动负载的方式。
我们来简单对比下三极管和MOS管驱动上的区别
三极管：
三极管是电流控制型，只要基极驱动电压高于Ube的死区电压，一般0.7V就可以导通。
对于三极管来说，3.3V肯定是大于Ube，可以根据IO口电压以及限流电阻推算出基极电流（Ib=（VO-0.7V）/R2。），因此直接在基极串联一个合适的电阻，让三极管工作在饱和区就可以了。
处理器一般讲究低功耗，供电电压会比较低。
因此一般单片机供电在3.3V，它的IO口最高电压是3.3V。
MOS管：
MOS管是电压控制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs才能正常导通，也就是说高于死区电压Ugs的最小值才能导通。
不同的MOS管的阈值电压是不一样的，一般在3-5V左右。，而饱和驱动电压在6-8V，大于IO口电压的3.3V。
如果用3.3V来驱动的话，可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通的状态。半导通的状态下，管子的内阻会很大，如果驱动小，电流负载可以用，但是大电流负载就不允许了，内阻太大，功耗也会很大，MOS管就容易烧毁。
因此，一般选IO口直接控制三极管，再去控制MOS管。
为什么要用三极管来驱动MOS管？
这是因为三极管的带负载能力没有MOS管的强，当负载电流有要求时，就需要用MOS管来驱动了。
那可以直接驱动MOS管吗？
上面已经给出了解释，不过不排除一些很小功率的MOS管可以进行操作。
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