中国先进晶圆清洗设备制造商——盛美半导体，近日推出了一款面向扇出型面板级封装（FOPLP）应用的突破性新型设备——Ultra C bev-p 面板边缘刻蚀设备。该设备专为铜相关制程的边缘刻蚀和清洗设计，能够同时对面板的正反面进行边缘处理，大幅提升了生产效率和产品的可靠性。这一技术的推出不仅完善了盛美的FOPLP产品线，也为大规模量产的现代电子应用提供了更为高效的封装解决方案。
扇出型面板级封装（FOPLP）在现代电子应用中越来越占据重要地位，其优越的集成密度、成本效率以及设计灵活性，使其在市场上需求不断攀升。盛美半导体董事长王晖博士表示，FOPLP能够适应不断发展的电子应用需求，是未来封装技术的重要方向。此次推出的Ultra C bev-p设备，正是基于这一技术趋势研发而来，目标是提升制程效率并确保产品的长期可靠性。
据市场分析公司Yole Intelligence的数据显示，FOPLP市场正在迅速成熟。预计在2023至2028年期间，该市场的年复合增长率（CAGR）将达到32.5%，从2022年的4100万美元增长到2028年的2.21亿美元。盛美半导体凭借其技术专长，正在积极把握这一市场机遇，推动更大规模的应用普及。
Ultra C bev-p是全球首批可同时处理面板正面和背面边缘刻蚀的设备之一，采用了湿法刻蚀制程，能够有效消除铜残留，降低电气短路和污染风险，从而保证后续制程的完整性。这一设备通过精密的边缘控制，确保在处理扇出型面板时刻蚀工艺的精准性，为先进封装技术提供了可靠保障。
与传统的圆形晶圆不同，面板级封装使用方形面板，这使得边缘处理的复杂性和难度大幅增加。为此，Ultra C bev-p采用了盛美半导体的专利技术，能够在面板翘曲的情况下实现仅限边缘区域的精确刻蚀，确保制程完整性。该设备还支持多种面板材料，包括有机面板、玻璃面板和粘合面板，适用尺寸范围从510mm x 515mm到600mm x 600mm，处理厚度在0.5mm至3mm之间，最大可处理10mm的翘曲。
Ultra C bev-p不仅在技术上实现了突破，在产能和运行效率方面也表现出色。设备设计可运行多达六个腔体，每小时可处理40个面板（PPH），边缘控制精度达到±0.2mm，控制范围为0-20mm。该设备的平均故障间隔时间（MTBF）达到500小时，正常运行时间高达95%，这为批量生产提供了高效、可靠的支持。
此外，Ultra C bev-p设备采用稀硫酸与过氧化物（DSP）工艺去除铜残留，并使用去离子水进行清洗，最终通过氮气（N2）进行干燥处理，确保面板表面的清洁和干燥。这一设计不仅保证了产品的高质量，还能有效减少后续制程中的污染风险。
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