随着中美贸易战的拉开帷幕，国产替代的大背景下，国产芯片迎来蓬勃发展的多年，再加上大基金的支持及丰富的人才储备，为国产芯片发展注入了强劲的动力。
TC-SAW需求攀升，国产厂商急起直追
射频滤波器技术主要包括低温共烧陶瓷（LTCC）、集成无源器件（IPD）、以及声学滤波器技术。其中声学滤波器技术，低频段的声表面波（SAW）滤波器和高频段的体声波（BAW）滤波器，因为其在小尺寸和低损耗方面的巨大优势，成为了当前移动终端射频滤波器技术的主流。
在2G/3G时代，SAW滤波器凭借较低成本优势主导射频滤波器市场，占据射频滤波器市场大部分的市场份额。
随着通讯技术的不断向4G/5G演进，SAW滤波器应用场景不断扩宽，技术上也愈发呈现小型化、模组化、高频化、高功率和大带宽等趋势。
然而，普通SAW滤波器也存在局限性， 普通SAW器件对温度变化敏感，性能随着温度升高而降低，另外，普通SAW的工作模式为漏波模式，在滤波过程中不可避免带来能量的损失（即Q值降低），造成滤波器插入损耗升高，并且随着频率升高，其损失的更明显，不能满足通信系统对插入损耗越来越苛刻的要求。
因此需要一种替代方法来提高SAW滤波器温度和Q值的稳定性，基于瑞利波模态（Rayleigh wave mode）工作的温度补偿型声表面波（TC-SAW）滤波器则是以此为前提研发诞生。
5G、高频驱动滤波器技术变革
目前，在智能手机中使用的射频滤波器主要有声表面波滤波器（SAW）和体声波滤波器（BAW/FBAR）两大类。“在当前的滤波器市场中，SAW凭借其成熟且低成本的优势，在2GHz以下的市场占有率仍比较大。”诺思研发兼市场总监蒋兴勇接受集微网专访时表示，“随着5G时代的到来，SAW就表现出明显的局限性，而BAW的优势在于中高频段的性能优势，如更小的插入损耗、更高的带外抑制等，所以BAW的使用已经成为时代发展的趋势。”
进入5G时代，除了主流频段外，由于引进了5G NR的标准，会有3.5GHz、4.8GHz等频段出现，以及不断重耕的LTE频段，因此需要射频前端器件能够支持更多的频段，或者原来4G频谱的设备件必须要支持更高的5G标准。这就为滤波器的设计提出了很多新要求。
系统越往高频走，对滤波器设计就要求更高的控制精度，对带宽、时延、线性化的要求也更高，大大提升了设计难度。首先是工作频率复杂，滤波器如何实现低温漂问题；其次是应用环境复杂，滤波器需要在有限面积内应对更多的信号干扰；最后是共存滤波器如何让不同类型信号和谐共存。
另一方面，随着射频前端模块集成度提升，现阶段射频模组化趋势包括FEM(射频开关+滤波器)、FeMid(射频滤波器+开关+双工器)、DiFEM(射频开关+滤波器+LNA)、PaMid(FeMid+PA)等多种产品形态，这可以带来包括解决多频段带来的射频复杂性挑战、缩小射频元件的体积、提供全球载波聚合模块化平台等多方面的优势。而滤波器在射频前端应用时还能整合为双工器、四工器甚至六工器等多路复用器，能够在满足性能要求的同时节省空间、简化设计，同时还能避免频段间的相互干扰。
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