8月26日，韩国媒体《今日财经》发表文章称，中国领先的存储器公司长鑫存储（CXMT）已开始量产其第二代高带宽存储器“HBM2”。尽管长鑫存储HBM2的良品率仍存在不确定性，但值得注意的是，其量产时间比预期提前了1-2年。
长鑫存储近日宣布已开始量产HBM2。今年早些时候，《日经亚洲》报道称长鑫存储已开始采购制造HBM所需的设备。
一般情况下，设备引进后，以适当的良品率开始批量生产，至少需要一到两年的时间。长鑫存储从美国和日本公司订购了半导体设备。Applied Materials和Lam Research也获得了美国政府向中国出口的出口许可。
随着美国最近考虑将HBM添加到对中国的出口法规中，长鑫存储加速HBM开发似乎正在加快HBM的自给自足。中国华为的昇腾 910系列处理器预计将配备HBM2。
HBM制造需要复杂的工艺。HBM通常比商用DRAM大，并且制造和组装基本芯片很困难。长鑫存储生产的HBM2已知每个引脚的数据传输速度约为2GT/s至3.2 GT/s。此外，存储器通过TSV技术垂直连接。
长鑫存储的HBM技术落后于SK海力士、三星电子和美光。SK海力士于今年上半年开始量产HBM3E 8层产品，并于今年第三季度开始量产HBM3E 12层产品，将于第四季度向客户供货。
三星电子也开始量产HBM3，并计划在向客户提供HBM3E 8层和12层样品后于今年下半年开始量产。两家公司还将于明年下半年开始量产HBM4。
