在芯片的种类中，存储芯片是非常重要的一种，其市场规模占到了全球所有芯片的三分之一左右。
存储芯片分为DRAM内存、NAND Flash闪存等，这些广泛应用于各种电子产品之中，比如大家的电脑、手机，运行内存就是DRAM内存，存储空间（SSD硬盘）就是NAND闪存。
目前在全球市场上，国产DRAM+NAND，合计份额，可能还不到5%，所以我们需要大量进口，而韩国的三星、SK海力士，美国的美光，这三大厂商，在存储芯片占了全球90%左右的份额。
国产存储厂商也在努力，但因为美国不允许先进设备卖到中国来，所以突破没这么快，需要和产业链一起合作，一起突破才行。
而在这背后，也有一些科学家们，不断的研究新技术、新方向，想要弯道超车，不走三星、SK海力士、美光们的老路，毕竟这条路被美国限制住了。
而近日，复旦大学的研究团队，就有了新的研究成果了，目前其论文已经发表于《自然-电子学》（Nature Electronics）上面。
按照媒体的报道，复旦大学周鹏-刘春森团队，研发出了一种不依赖先进光刻设备的自对准工艺，再结合超快存储叠层电场设计理论，将闪存芯片推进至8nm水平。
要知道目前的硅基闪存物理尺寸极限在15nm，超过15nm之后，就非常不稳定，所以像NAND闪存芯片，不管是三星，还是SK海力士、美们等，都不追求再小的工艺，而是进行多层堆叠，大家的工艺都是15nm以上。
但复旦大学的研究表示，是可以不使用EUV这种光刻机，也能够进入到15nm之下，达到8nm这样的工艺的。
超快闪存集成工艺和统计性能
不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。
资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。
可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将彻底颠覆现有的闪存芯片格局。不过目前这种技术还没有量产，接下来的目标是如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。
希望复旦大学的科学家们能够早点突破，让国产存储厂商们，早点用上这个颠覆性的技术，那么全球闪存芯片格局，将彻底洗牌，中国存储芯片将走向巅峰。
